2n7002d规格参数详解

在电子元器件领域，2N7002D是一款备受关注的MOSFET晶体管。本文将详细介绍2N7002D的规格参数，帮助读者全面了解这款产品的性能特点和应用场景。

一、2N7002D概述

2N7002D是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，具有低导通电阻、高输入阻抗、低栅极电荷等特点。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动、音频放大器等领域。

二、2N7002D规格参数详解

1. 封装形式

2N7002D采用TO-247-4L封装，这种封装形式具有较好的散热性能，适用于高功率应用。

2. 电压参数

• 额定电压（VDS）：100V
• 漏极-源极击穿电压（VDS(max)）：150V
• 栅极-源极击穿电压（VGS(max)）：20V

3. 电流参数

• 漏极电流（ID）：-1.5A
• 漏极连续电流（IDC）：1.2A
• 漏极峰值电流（IDP）：3A

4. 电阻参数

• 导通电阻（RDS(on)）：0.025Ω（典型值）
• 栅极电阻（Rg）：1MΩ（典型值）

5. 电荷参数

• 栅极电荷（Qg）：5nC（典型值）

6. 工作温度范围

• -55℃至+150℃

三、2N7002D应用案例

1. 开关电源

2N7002D的低导通电阻和高电流承载能力使其成为开关电源的理想选择。在开关电源中，2N7002D可用于开关管，实现高效能转换。

2. 电机驱动

2N7002D的高输入阻抗和低栅极电荷使其在电机驱动领域具有广泛的应用。在电机驱动电路中，2N7002D可用于驱动电机，实现精确控制。

3. 音频放大器

2N7002D的低导通电阻和高输入阻抗使其在音频放大器领域具有较好的性能。在音频放大器中，2N7002D可用于放大器电路，提高音质。

四、总结

2N7002D是一款性能优异的MOSFET晶体管，具有低导通电阻、高输入阻抗、低栅极电荷等特点。通过本文的详细介绍，相信读者对2N7002D的规格参数和应用场景有了更深入的了解。在电子设计过程中，选择合适的电子元器件至关重要，2N7002D无疑是值得信赖的选择。

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